英韧科技发布12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX
作者: 来源: 查看评论 2021/9/10 15:44:51
继2020年在范围内率先量产12纳米PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636(企业级)后, 英韧科技于2021年9月7日发布Rainier系列全新产品——12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX 。
RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口,支持4个NAND通道,每个通道多8个CE片选通道,全面支持NVMe1.4协议。 RainierQX还具有以下优势:
1.采用业界的技术,通过独立平层访问,以实现高速的读取访问,并在有限的芯片数量的情况下,有效提高4K随机读取性能高达1M IOPs以上;
2.顺序读取性能7GB/s,顺序写入性能6GB/s;
3.专有ECC解决方案采用的4K LDPC技术,为新的TLC和QLC提供的纠错能力,并提供功耗感知多级解码策略;
4.超大SSD容量高达4TB。
值得一提的是,RainierQX具有增强的12纳米FinFET设计的无DRAM架构,英韧科技董事长兼首席执行官吴子宁博士表示:“在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下, RainierQX 将成为目前无DRAM控制器的佳解决方案。
RainierQX在提供低功耗、实现更低BOM成本的同时,因采用业界快的2400MT/s NAND通道接口和专有数据路径加速器,仍可以提供与DRAM解决方案相同的峰值性能,这使得该方案明显优于同类产品中的其他解决方案。”
自成立以来,英韧科技致力于通过提供高性能、低功耗、安全、可靠的存储控制芯片,解决人工智能和其他大数据应用中的数据存储和数据传输问题。面对市场的多元变化,英韧科技已做好充分准备,专注目标,持续深耕,赋能产业,助力存储技术的更快发展。
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